上海凯世通半导体股份有限公司
企业简介

上海凯世通半导体股份有限公司 main business:集成电路设备、太阳能电池生产设备研发设计;软件的开发、设计、制作;集成电路设备、太阳能电池生产设备的生产;销售自产产品,系统集成,并提供相关的技术咨询和技术服务;机械设备及配件、电气设备、电器产品、金属材料及制品(钢材、贵金属、稀有金属除外)、机电产品、建材(钢材、水泥除外)、五金的批发和进出口。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.

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上海凯世通半导体股份有限公司的工商信息
  • 310115400252348
  • 913100006873381979
  • 存续(在营、开业、在册)
  • 股份有限公司(台港澳与境内合资、未上市)
  • 2009年04月16日
  • JIONG CHEN(陈炯)
  • 5000.000000
  • 2009年04月16日 至 永久
  • 上海市工商局
  • 2009年04月16日
  • 中国(上海)自由贸易试验区牛顿路200号7号楼单元1
  • 集成电路设备、太阳能电池生产设备研发设计;软件的开发、设计、制作;集成电路设备、太阳能电池生产设备的生产;销售自产产品,系统集成,并提供相关的技术咨询和技术服务;机械设备及配件、电气设备、电器产品、金属材料及制品(钢材、贵金属、稀有金属除外)、机电产品、建材(钢材、水泥除外)、五金的批发和进出口。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】
上海凯世通半导体股份有限公司的域名
类型 名称 网址
网站 上海凯世通半导体股份有限公司 http://www.kingstonesemi.com
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上海凯世通半导体股份有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN106233422A 离子注入设备 2016.12.14 一种离子注入设备,其包括:在该真空制程腔中移动的承载框架,该承载框架包括边框部和由该边框部围成的中空
2 CN205829527U 发电装置 2016.12.21 本实用新型提供一种发电装置,其包括风车,该风车包括立柱以及设置于该立柱顶部的多个转叶,该立柱还包括:
3 CN106033729A FinFET的掺杂方法 2016.10.19 本发明公开了一种FinFET的掺杂方法,该FinFET包括衬底和位于衬底上平行间隔设置的Fin,每根
4 CN106033715A FinFET的掺杂方法 2016.10.19 本发明公开了一种FinFET的掺杂方法,该FinFET包括衬底和位于衬底上平行间隔设置的Fin,每根
5 CN104299871B 离子源系统和离子束流系统 2016.12.28 本发明公开了一种离子源系统和离子束流系统。所述离子源系统包括一离子源反应腔,其特征在于,所述离子源系
6 CN206134695U 双面电池组件的反射装置和双面电池组件 2017.04.26 本实用新型公开了一种双面电池组件的反射装置和双面电池组件,相邻双面电池片之间存在间隙,该反射装置包括
7 CN106469760A 光伏电池和太阳能电池组件 2017.03.01 本发明公开了一种光伏电池和太阳能电池组件,该光伏电池为两面受光的双面电池,该双面电池包括相互平行且相
8 CN106449863A 光伏器件的处理方法 2017.02.22 本发明公开了一种光伏器件的处理方法,该光伏器件包括N型掺杂的硅衬底,该处理方法包括以下步骤:在该硅衬
9 CN205945604U 农业大棚的光伏系统 2017.02.08 本实用新型提供一种农业大棚的光伏系统,农业大棚包括顶部和侧壁,该光伏系统包括:多个组件支架以及每两个
10 CN106159032A 太阳能晶片的热处理方法 2016.11.23 本发明公开了一种太阳能晶片的热处理方法,该太阳能晶片为经过磷离子注入的太阳能晶片,该热处理方法包括以
11 CN106159031A 太阳能晶片的退火方法 2016.11.23 本发明公开了一种太阳能晶片的退火方法,该太阳能晶片为经过磷离子注入的太阳能晶片,该退火方法包括以下步
12 CN103828069B 掺杂方法、PN结构、太阳能电池的制作方法及太阳能电池 2016.10.26 提供了一种掺杂方法,包括:在N型基底(1)的表面中形成N+掺杂区域(2);在N型基底的表面中形成P+
13 CN106033728A FinFET的掺杂方法 2016.10.19 本发明公开了一种FinFET的掺杂方法,该FinFET包括衬底和位于衬底上平行间隔设置的Fin,每根
14 CN104347751B 太阳能电池的制作方法 2016.10.05 本发明公开了一种太阳能电池的制作方法,包括:在一衬底的背面中形成第一导电类型掺杂区域和第二导电类型掺
15 CN205616102U 传输矫正机构 2016.10.05 本实用新型提供一种传输矫正机构,包括至少一个矫正装置,每个矫正装置包括相互正对、且分别置于工件传输装
16 CN103985780B 太阳能电池的制作方法 2016.08.31 本发明公开了一种太阳能电池的制作方法,包括:在衬底的背面中形成第一导电类型掺杂层;在该衬底的背面中形
17 CN205542817U 太阳能电池组件 2016.08.31 本实用新型公开了一种太阳能电池组件,其包括多个长条状的IBC单元,每个IBC单元包括:形成于第一导电
18 CN303732807S 晶片盒 2016.07.06 1.本外观设计产品的名称:晶片盒。2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用于容纳硅片,其中,硅片插
19 CN105702546A 采用固态掺杂剂的离子源装置 2016.06.22 本发明提供一种采用固态掺杂剂的离子源装置,其包括电弧腔体,以及气化装置和输送保持装置,该气化装置用于
20 CN105590823A RF离子源装置 2016.05.18 本发明公开了一种RF离子源装置,包括一电弧腔体,该电弧腔体中填充有气体,该电弧腔体中置有至少一根天线
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