![上海凯世通半导体股份有限公司](http://img.czvv.com/logo/58f9bf427f906c45b2e4b7c0/58f9bf427f906c45b2e4b7c0.png)
上海凯世通半导体股份有限公司 main business:集成电路设备、太阳能电池生产设备研发设计;软件的开发、设计、制作;集成电路设备、太阳能电池生产设备的生产;销售自产产品,系统集成,并提供相关的技术咨询和技术服务;机械设备及配件、电气设备、电器产品、金属材料及制品(钢材、贵金属、稀有金属除外)、机电产品、建材(钢材、水泥除外)、五金的批发和进出口。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 股份有限公司(台港澳与境内合资、未上市)
- 2009年04月16日
- JIONG CHEN(陈炯)
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- 2009年04月16日 至 永久
- 上海市工商局
- 2009年04月16日
- 中国(上海)自由贸易试验区牛顿路200号7号楼单元1
- 集成电路设备、太阳能电池生产设备研发设计;软件的开发、设计、制作;集成电路设备、太阳能电池生产设备的生产;销售自产产品,系统集成,并提供相关的技术咨询和技术服务;机械设备及配件、电气设备、电器产品、金属材料及制品(钢材、贵金属、稀有金属除外)、机电产品、建材(钢材、水泥除外)、五金的批发和进出口。【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】
类型 | 名称 | 网址 |
网站 | 上海凯世通半导体股份有限公司 | http://www.kingstonesemi.com |
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序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN106233422A | 离子注入设备 | 2016.12.14 | 一种离子注入设备,其包括:在该真空制程腔中移动的承载框架,该承载框架包括边框部和由该边框部围成的中空 |
2 | CN205829527U | 发电装置 | 2016.12.21 | 本实用新型提供一种发电装置,其包括风车,该风车包括立柱以及设置于该立柱顶部的多个转叶,该立柱还包括: |
3 | CN106033729A | FinFET的掺杂方法 | 2016.10.19 | 本发明公开了一种FinFET的掺杂方法,该FinFET包括衬底和位于衬底上平行间隔设置的Fin,每根 |
4 | CN106033715A | FinFET的掺杂方法 | 2016.10.19 | 本发明公开了一种FinFET的掺杂方法,该FinFET包括衬底和位于衬底上平行间隔设置的Fin,每根 |
5 | CN104299871B | 离子源系统和离子束流系统 | 2016.12.28 | 本发明公开了一种离子源系统和离子束流系统。所述离子源系统包括一离子源反应腔,其特征在于,所述离子源系 |
6 | CN206134695U | 双面电池组件的反射装置和双面电池组件 | 2017.04.26 | 本实用新型公开了一种双面电池组件的反射装置和双面电池组件,相邻双面电池片之间存在间隙,该反射装置包括 |
7 | CN106469760A | 光伏电池和太阳能电池组件 | 2017.03.01 | 本发明公开了一种光伏电池和太阳能电池组件,该光伏电池为两面受光的双面电池,该双面电池包括相互平行且相 |
8 | CN106449863A | 光伏器件的处理方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种光伏器件的处理方法,该光伏器件包括N型掺杂的硅衬底,该处理方法包括以下步骤:在该硅衬 |
9 | CN205945604U | 农业大棚的光伏系统 | 2017.02.08 | 本实用新型提供一种农业大棚的光伏系统,农业大棚包括顶部和侧壁,该光伏系统包括:多个组件支架以及每两个 |
10 | CN106159032A | 太阳能晶片的热处理方法 | 2016.11.23 | 本发明公开了一种太阳能晶片的热处理方法,该太阳能晶片为经过磷离子注入的太阳能晶片,该热处理方法包括以 |
11 | CN106159031A | 太阳能晶片的退火方法 | 2016.11.23 | 本发明公开了一种太阳能晶片的退火方法,该太阳能晶片为经过磷离子注入的太阳能晶片,该退火方法包括以下步 |
12 | CN103828069B | 掺杂方法、PN结构、太阳能电池的制作方法及太阳能电池 | 2016.10.26 | 提供了一种掺杂方法,包括:在N型基底(1)的表面中形成N+掺杂区域(2);在N型基底的表面中形成P+ |
13 | CN106033728A | FinFET的掺杂方法 | 2016.10.19 | 本发明公开了一种FinFET的掺杂方法,该FinFET包括衬底和位于衬底上平行间隔设置的Fin,每根 |
14 | CN104347751B | 太阳能电池的制作方法 | 2016.10.05 | 本发明公开了一种太阳能电池的制作方法,包括:在一衬底的背面中形成第一导电类型掺杂区域和第二导电类型掺 |
15 | CN205616102U | 传输矫正机构 | 2016.10.05 | 本实用新型提供一种传输矫正机构,包括至少一个矫正装置,每个矫正装置包括相互正对、且分别置于工件传输装 |
16 | CN103985780B | 太阳能电池的制作方法 | 2016.08.31 | 本发明公开了一种太阳能电池的制作方法,包括:在衬底的背面中形成第一导电类型掺杂层;在该衬底的背面中形 |
17 | CN205542817U | 太阳能电池组件 | 2016.08.31 | 本实用新型公开了一种太阳能电池组件,其包括多个长条状的IBC单元,每个IBC单元包括:形成于第一导电 |
18 | CN303732807S | 晶片盒 | 2016.07.06 | 1.本外观设计产品的名称:晶片盒。2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用于容纳硅片,其中,硅片插 |
19 | CN105702546A | 采用固态掺杂剂的离子源装置 | 2016.06.22 | 本发明提供一种采用固态掺杂剂的离子源装置,其包括电弧腔体,以及气化装置和输送保持装置,该气化装置用于 |
20 | CN105590823A | RF离子源装置 | 2016.05.18 | 本发明公开了一种RF离子源装置,包括一电弧腔体,该电弧腔体中填充有气体,该电弧腔体中置有至少一根天线 |
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